C波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC

摘要

基于使用国产SiC衬底的GaN HEMT器件,运用谐波控制技术设计了工作在5～6GHz的功率放大器MMIC.该放大器采用三级放大结构,在整个频带内输出功率大于55W,增益大于23dB,与不加入谐波控制结构的情况相比功率附加效率(PAE)提高了4.7％,达到45.5％;在5.4GHz时,输出功率大于58W,增益大于23.5dB,PAE达到47％,具有较好的性能.