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科锐公司;
高功率放大器; 微波集成电路; 卫星通信; HEMT; GaN; C波段; 单片式; MESFET;
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:用于高功率Ku波段卫星通信的GaN HEMT MMIC和内部匹配的GaN HEMT的扩展阵容
机译:高功率Ku波段GaN MMIC和内部匹配的HEMT,用于卫星通信
机译:3.6 W / mm高功率密度W波段InAlGaN / GaN HEMT MMIC功率放大器
机译:0.1μmAlgan/ GaN高电子迁移率(HEMTS)工艺的改进的大信号模型及其在W频段中实际单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:Ku和K波段GaN高功率放大器mmIC。
机译:三级GAN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)DOHERTY功率放大器,适用于频率超过3GHz的高频应用
机译:用于单片微波集成电路的平衡分布式功率放大器
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