基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计

摘要

我们设计研制了一个基于AlGaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120 μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4 dBm(4.4W),最大的PAE为42.7%.