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顾卫东; 张志国;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
专用集成电路国家级重点实验室;
石家庄050051;
西安电子科技大学微电子学院;
西安710071;
AlGaN/GaN; HEMT; 大栅宽; 高电压; 高输出功率;
机译:X波段GaN功率放大器,具有8%的工作频带,30W输出功率/ 60%PAE,使用GaN HEMT且栅长为0.15μm
机译:具有0.2μmV栅凹槽的Algan / Gan Hemts用于X波段应用
机译:封装的AlGaN / GaN HEMT功率条,在L波段具有900 W的输出功率和高PAE
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:在未掺杂的AlGaN / GaN HEMT结构上制造的无栅FET pH传感器HEMT结构
机译:紫外激光辅助三维原子探针分析alGaN / GaN HEmT的可行性研究。
机译:具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译:绝缘栅AlGaN / GaN HEMT
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