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机译:基于AlGaN / GaN / SiC HEMT层结构的AlGaN / GaN双色光电探测器
Institute ofThin Films and Interfaces and CNI - Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology, Research Centre Juelich, 52425 Juelich, Germany;
field effect devices; optoelectronic device characterization, design, and modeling; photodetectors (including infrared and CCD detectors);
机译:通过MOCVD生长的具有高迁移率GaN薄层的AlGaN / AlN / GaN / SiC HEMT结构
机译:用不同GaN沟道层厚度对增强型AlGaN / GaN / AlGaN / AlGan双异质结构HEMT的影响
机译:掺Fe或无意掺杂GaN缓冲层的MOCVD在SiC上生长的AlGaN / GaN HEMT的直流和微波性能的比较
机译:GaN层对AlGaN层宽比的影响对基于DG的AlGaN / GaN MOS-HEMT的模拟性能的影响
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压