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姜霞; 赵正平; 张志国; 骆新江; 杨瑞霞; 冯志红;
河北工业大学信息工程学院;
中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室;
杭州电子科技大学电子信息学院;
AlGaN/GaN; 高电子迁移率晶体管; 自热; 解析模型; 阈值电压; 迁移率;
机译:蒙特卡洛研究在蓝宝石,SiC和Si衬底上GaN / AlGaN HEMT中的自热效应
机译:在硅,SiC和蓝宝石衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT的低频漏极噪声比较
机译:基于脉冲I-V测量的在硅和蓝宝石衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT的热特性
机译:质子辐射下蓝宝石,Si和SiC衬底上AlGaN / GaN HEMT的降解机理
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:用于脉冲操作的AlGaN / GaN HEMT热设计优化的瞬态仿真
机译:无色散掺杂和未掺杂AlGaN / GaN ud蓝宝石和SiC衬底上的HEMT
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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