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任春江; 李忠辉; 焦刚; 董逊; 李肖; 陈堂胜; 李拂晓;
单片集成电路与模块国家级重点实验室;
氮化镓; 高电子迁移率晶体管; 二维电子气; 单位截止频率; 最高振荡频率;
机译:蓝宝石衬底上的Ku波段3.4 W / mm功率AlGaN / GaN HEMT
机译:蓝宝石衬底上的12W / mm功率密度AlGaN / GaN HEMT
机译:在具有AIN和GaN成核层的蓝宝石衬底上生长和制造的AlGaN / GaN HEMT的比较
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:蓝宝石衬底上0.8μm栅长的AlGaN / GaN HEMT的生长和特性
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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