一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法

摘要

本发明涉及一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该硅基AlGaN/GaN HEMT的制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面依次生长若干SiGe外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置若干SiGe外延层，SiGe的热膨胀系数比Si大，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiGe的热膨胀系数更大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。