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机译:大面积工程衬底上厚GaN外延层和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的电热评估
US Naval Res Lab, Washington, DC 20375 USA;
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US Naval Res Lab, Washington, DC 20375 USA;
US Naval Res Lab, Washington, DC 20375 USA;
George Mason Univ, Fairfax, VA 22030 USA;
US Naval Res Lab, Washington, DC 20375 USA;
Qromis Inc, Santa Clara, CA 95051 USA;
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US Naval Res Lab, Washington, DC 20375 USA;
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机译:外延层晶体质量对蓝宝石衬底上AlGaN / GaN短栅高电子迁移率晶体管的DC和RF特性的影响
机译:研究i-GaN,n-GaN,p-GaN和InGaN盖层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的影响
机译:4H-SiC衬底上生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管在GaN缓冲层中的Mg补偿效应
机译:Si上初始AlN成核层顶部的AlGaN缓冲层的Al含量与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直泄漏电流之间的关系
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管