School of Electrical Engineering, Korea University, Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, Korea.;
机译:通过在电荷陷阱型闪存设备中对Al_2O_3阻挡层进行高温退火来提高存储性能
机译:原子层沉积的IrO2纳米点用于电荷陷阱闪存设备
机译:电荷陷阱层电导率控制对使用IGZO通道和ZnO电荷陷阱层的顶栅存储薄膜晶体管的器件性能的影响
机译:充电 - 陷阱闪存器件,在Si3N4捕获层上制造了纳米尺度模式
机译:背面电荷捕获纳米级硅非易失性存储器。
机译:Nb2O5和Ti掺杂Nb2O5电荷陷阱纳米层在闪存中的应用
机译:电荷陷阱3D NAND闪存中过渡层缺陷引起的电荷损失