SiC SIT器件的高温退火工艺研究

摘要

本文研究了高温退火温度和退火时间对SiC SIT器件的表面形貌及P型欧姆接触电学性能的影响规律.实验中发现退火温度的提高能有效地改善器件的离子注入激活率,但退火温度越高,退火时间越长,由退火造成的SiC表面粗糙的情况就越严重.经过优化工艺条件,在1850℃退火3分钟的器件的表面均方根粗糙度RMS约为0.292nm,P型欧姆接触电阻率能达到7.851E05(Ωcm2).直流测试结果表明研制得到的SiC SIT的拐点电压Vknee=10V,击穿电压VBR=320V,单位栅宽电流密度Idmax为112mA/mm,最大输出功率密度为43.4W/cm.