声明
1 绪论
1.1 脉冲功率技术
1.2 半导体功率开关
1.3 DSRD器件
1.4 论文主要内容
24H-SiC DSRD原理与模型建立
2.1 4H-SiC DSRD结构与工作原理
2.2 4H-SiC DSRD解析模型
2.3 4H-SiC DSRD数值模型
2.3.1 数值模型基本原理
2.3.2 4H-SiC迁移率模型
2.3.3 4H-SiC产生-复合模型
2.3.4 4H-SiC禁带变窄效应模型
2.4 基于4H-SiC DSRD的脉冲发生电路
2.5 本章小结
3 4H-SiC DSRD结构设计与优化
3.1 4H-SiC DSRD体结构优化设计
3.2 4H-SiC DSRD终端结构优化设计
3.2.1 功率器件常用终端技术
3.2.2 4H-SiC DSRD mesa-JTE终端结构
3.2.3 4H-SiC DSRD Bevel-JTE终端结构
3.2.4 4H-SiC DSRD Etched-JTE终端结构
3.34H-SiC DSRD电热耦合重频仿真
3.4 本章小结
4 4H-SiC DSRD关键工艺与特性分析
4.1 4H-SiC DSRD终端关键工艺
4.1.1 mesa-JTE终端制备
4.1.2 Bevel-JTE终端制备
4.1.3 Etched-JTE终端制备
4.1.4 钝化层制备
4.2 4H-SiC DSRD欧姆电极工艺
4.3 4H-SiC DSRD静态测试
4.4 4H-SiC DSRD脉冲产生特性分析
4.5、本章小结
5 总结与展望
致谢
参考文献
附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录
