SiC器件与电路的若干关键技术

摘要

Si C器件可以稳定工作于高温、高频、强辐射条件下的能力已经得到证实。在许多应用领域和系统中 ,Si C已经成为进一步提高性能的理想材料。但是 ,在 Si C器件及其电路的数量按比例增长并被融入电子系统之前 ,晶体生长和器件制造等技术必须得到进一步的发展。文章报道了 Si C技术的最新进展情况。