基于全SiC器件的交错并联Boost功率因数校正电路

摘要

与传统的SiMOSFET相比,SiC MOSFET具有击穿电场强度高、导热率高、开关频率高、通态电阻低等优点.在对变换器效率、功率密度等有更高要求的电力电子系统中,SiC功率器件成为较佳的选择.将SiC器件引入到交错并联Boost功率因数校正(PFC)电路,分析了临界导通模式(BCM)模式下电路的工作特性,并给出了主电路元器件的设计方法;搭建了以UCC28061为控制芯片的实验电路与测试平台.测试结果表明,SiC MOSFET作为开关管可工作在较高的频率,基于全SiC器件的PFC达到了功率因数校正的目的,并且具有电流纹波较小、系统损耗低等优点.