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Three-Dimensional Integrated Circuit (3D IC) Key Technology: Through-Silicon Via (TSV)

机译:三维集成电路(3D IC)关键技术:硅通孔(TSV)

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摘要

3D integration with through-silicon via (TSV) is a promising candidate to perform system-level integration with smaller package size, higher interconnection density, and better performance. TSV fabrication is the key technology to permit communications between various strata of the 3D integration system. TSV fabrication steps, such as etching, isolation, metallization processes, and related failure modes, as well as other characterizations are discussed in this invited review paper.
机译:通过硅通孔(TSV)进行3D集成是以较小的封装尺寸,更高的互连密度和更好的性能执行系统级集成的有希望的选择。 TSV制造是允许3D集成系统各个层之间进行通信的关键技术。 TSV的制造步骤,例如蚀刻,隔离,金属化工艺和相关的失效模式,以及其他特性,将在本受邀的评论文章中进行讨论。

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