high voltage; power devices; MOSFET; BJT; IGBT; GTO; stacking fault;
机译:功率器件中p型SiC和GaN接口的关键问题
机译:评论A. Agarwal和S. Haney,“ SiC功率器件中的一些关键材料和加工问题”。电子。母校37,646(2008)]
机译:回应Tilak和Matocha对A. Agarwal和S. Haney的文章“ SiC功率器件中的一些关键材料和加工问题”的评论。电子。物质,卷。 37号5,第646-654页(2008年)]
机译:高压SiC功率器件中的关键技术问题
机译:低压碳化硅(SIC)半导体器件用于电力转换应用的实验研究
机译:4H-SiC GTO器件中异常的位错聚集引起的正向压降
机译:使用高压SIC器件将低压PV功率集成到中压网中
机译:使用碳化硅(siC)交付订单开发高温,高功率,高效率,高压转换器订单0003:siC高压转换器,用于siC功率器件的N型欧姆合同开发