UHF频段高功率SiC SIT

摘要

采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO2和SixNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升。最终28 cm栅宽SiC SIT器件,在UHF波段的500 MHz、90 V工作电压下,脉冲饱和输出功率达到了550 W,此时功率增益为11.3 dB。