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IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices
IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices
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1.
The status of fiber optics
机译:
光纤状态
作者:
David Welch
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
2.
InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors grown on Ge/P Co-implanted InP substrates by metal-organic molecular beam epitaxy
机译:
通过金属 - 有机分子束外延在Ge / P共注入的INP基板上生长的INP / Ingaas异质结双极晶体管
作者:
W. J. Sung
;
R. F. Kopf
;
D. J. Werder
;
C. T. Liu
;
Y. K. Chen
;
J. Chen
;
E. J. Zhu
;
M. F. Chang
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
3.
AlGaN/GaN-HEMTs for power applications up to 40 GHz
机译:
ALGAN / GAN-HEMTS用于电源应用,高达40 GHz
作者:
Kiefer R.
;
Quay R.
;
Muller S.
;
Kohler K.
;
van Raay F.
;
Raynor B.
;
Pletschen W.
;
Massler H.
;
Ramberger S.
;
Mikulla M.
;
Weimann G.
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
关键词:
aluminium compounds;
T-gat;
power applications;
AlGaN/GaN HEMTs;
millimetre wave field effect transistors;
semiconductor technology;
millimetre wave power transistors;
power HEMT;
wide band gap semiconductors;
III-V semiconductors;
gallium compounds;
4.
AlGaN/GaN-HEMTs for power applications up to 40 GHz
机译:
ALGAN / GAN-HEMTS用于电源应用,高达40 GHz
作者:
R. Kiefer
;
R. Quay
;
S. Muller
;
K. Kohler
;
F. Van Raay
;
B. Raynor
;
W. Pletschen
;
H. Massler
;
S. Ramberger
;
M. Mikulla
;
G. Weimann
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
5.
The design and fabrication of microdisk resonators for terahertz frequency operation
机译:
太赫兹频率运转微仪谐振器的设计与制造
作者:
Adam T.N.
;
Shi S.
;
Ray S.K.
;
Troeger R.T.
;
Prather D.
;
Kolodzey J.
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
关键词:
submillimetre wave lasers;
whispering-g;
propagation bandgap;
photonic elements;
stop-bands;
quality factors;
mode confinement;
terahertz frequency operation;
microdisk resonators;
microdisc lasers;
Q-factor;
quantum well devices;
microcavity lasers;
6.
Simulations of high linearity and high efficiency of class B power amplifiers in GaN HEMT technology
机译:
GaN HEMT技术中B类功率放大器高线性度和高效率的仿真
作者:
Paidi V.
;
Shouxuan Xie
;
Coffie R.
;
Mishra U.K.
;
Long S.
;
Rodwell M.J.W.
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
关键词:
gallium compounds;
high linearity class-B amplifi;
highly linear power amplifiers;
MMIC power amplifiers;
integrated circuit design;
field effect MMIC;
HEMT integrated circuits;
wideband amplifiers;
wide band gap semiconductors;
III-V semiconductors;
7.
Monte Carlo simulation of InGaAs/InAlAs HEMTs with a quantum correction potential
机译:
Monte Carlo模拟InGaAs / Inalas Hemts,具有量子校正潜力
作者:
Bo Wu
;
Ting-Wei Tang
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
8.
100 A and 3.1 kV 4H-SiC GTO thyristors
机译:
100 A和3.1 KV 4H-SIC GTO晶闸管
作者:
Stephen van Campen
;
Andris Ezis
;
John Zingaro
;
Garrett Storaska
;
R. Chris Clarke
;
Kevin Elliott
;
Vic Temple
;
Dmitry Hits
;
Mark Thompson
;
Kris Roe
;
Todd Hansen
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
9.
High linearity, robust, AlGaN-GaN HEMTs for LNA receiver ICs
机译:
LNA和接收器IC的高线性,鲁棒,Alga-GaL Hemts
作者:
P. Parikh
;
Y. Wu
;
M. Moore
;
P. Chavarkar
;
U. Mishra
;
R. Neidhard
;
L. Kehias
;
T. Jenkins
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
10.
Surface trapping effects observed in AlGaN/GaN HFETs and heterostructures
机译:
在AlGaN / GaN HFET和异质结构中观察到表面捕获效果
作者:
G. Koley
;
V. Tilak
;
Ho-Young Cha
;
L. F. Eastman
;
M. G. Spencer
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
11.
The design and fabrication of microdisk resonators for terahertz frequency operation
机译:
太赫兹频率运转微仪谐振器的设计与制造
作者:
T. N. Adam
;
S. Shi
;
S. K. Ray
;
R. T. Troeger
;
D. Prather
;
J. Kolodzey
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
12.
Simulation, characterization and design of epitaxial emitter NPN 4H-SiC BJTs for amplifier applications
机译:
扩展器外延发射极NPN 4H-SIC BJT的仿真,表征和设计
作者:
P. A. Losee
;
R. J. Gutmann
;
T. P. Chow
;
S. -H. Ryu
;
A. K. Agarwal
;
J. W. Palmour
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
13.
Simulations of high linearity and high efficiency of class of power amplifiers in GaN HEMT technology
机译:
GaN Hemt技术中功率放大器高线性度和高效率的仿真
作者:
Vamsi Paidi
;
Shouxuan Xie
;
Robert Coffie
;
Umesh K. Mishra
;
Stephen Long
;
M. J. W. Rodwell
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
14.
Reliability evaluation of AlGaN/GaN HEMTs grown on SiC substrate
机译:
在SiC基板上生长的AlGaN / GaN Hemts的可靠性评估
作者:
C. Lee
;
L. Witkowski
;
M. Muir
;
H. Q. Tserng
;
P. Saunier
;
H. Wang
;
J. Yang
;
M. A. Khan
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
15.
Inversion channel MOSFETs in 3C-SiC on silicon
机译:
硅3C-SiC中的反转信道MOSFET
作者:
Jianwei Wan
;
M. A. Capano
;
M. R. Melloch
;
James A. Cooper Jr.
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
16.
Dependence of power and efficiency of AlGaN/GaN HEMT's on the load resistance for class B bias
机译:
AlGaN / GaN HEMT的功率和效率的依赖性对B级偏置的负载电阻
作者:
V. Kaper
;
V. Tilak
;
B. Green
;
T. Prunty
;
J. Smart
;
L. F. Eastman
;
J. R. Shealy
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
17.
Channel recessed 4H-SiC MESFETs with F{sub}t of 14.5GHz and F{sub}(max) of 40GHz
机译:
通道嵌入了4H-SIC MESFET,具有40GHz的14.5GHz和f {sub}(max)的f {sub} t
作者:
Ho-Young Cha
;
Christopher I. Thomas
;
Goutam Koley
;
Hyungtak Kim
;
Lester F. Eastman
;
Michael G. Spencer
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
18.
Subterahertz detection by high electron mobility transistors at large forward gate bias
机译:
大向前栅极偏置下高电子迁移率晶体管检测的子特拉检测
作者:
Y. Deng
;
W. Knap
;
S. Rumyantsev
;
R. Gaska
;
A. Khan
;
V. Ryzhii
;
E. Kaminska
;
A. Piotrowska
;
J. Lusakowski
;
M. S. Shur
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
19.
Ultrafast optical manipulation of ferromagnetic order in InMnAs/GaSb
机译:
超快光学操纵Inmnas / Gasb中的铁磁顺序
作者:
J. Wang
;
G. A. Khodaparast
;
J. Kono
;
T. Slupinski
;
A. Oiwa
;
H. Munekata
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
20.
Characterization and analysis of gate and drain low-frequency noise in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN Hemts闸门闸门和漏极低频噪声的特征及分析
作者:
Shawn S. H. Hsu
;
Pouya Valizadeh
;
Dimitris Pavlidis
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
21.
AlGaN/GaN HEMTs grown by molecular beam epitaxy on sapphire, SiC, and HVPE GaN templates
机译:
AlGaN / GaN HEMT通过SAPPHIRE,SIC和HVPE GAN模板上的分子束外延生长
作者:
Nils G. Weimann
;
M. J. Manfra
;
J. W. P. Hsu
;
K. Baldwin
;
L. N. Pfeiffer
;
K. W. West
;
S. N. G. Chu
;
D. V. Lang
;
R. J. Molnar
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
22.
High-performance power BJTs in 4H-SiC
机译:
4H-SIC中的高性能电力BJT
作者:
Chih-Fang Huang
;
James A. Cooper
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
23.
RF 4H-SiC bipolar junction transistors
机译:
RF 4H-SIC双极连接晶体管
作者:
Ivan Perez-Wurfl
;
Andrey Konstantinov
;
John Torvik
;
Bart Van Zeghbroeck
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
24.
Low frequency noise in Al{sub}0.4Ga{sub}0.6N thin films
机译:
在Al {sub} 0.4ga {sub} 0.6N薄膜中的低频噪声
作者:
N. Pala
;
S. Rumyantsev
;
R. Gaska
;
M. Shur
;
J. Yang
;
X. Hu
;
G. Simin
;
M. A. Khan
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
25.
Low frequency noise in Al/sub 0.4/Ga/sub 0.6/N thin films
机译:
Al / Sub 0.4 / Ga / sub 0.6 / n薄膜中的低频噪声
作者:
Pala N.
;
Rumyantsev S.
;
Gaska R.
;
Shur M.
;
Yang J.
;
Hu X.
;
Simin G.
;
Khan M.A.
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
关键词:
field effect transistors;
het;
electron-hole recombination;
1/f noise;
semiconductor thin films;
wide band gap semiconductors;
III-V semiconductors;
gallium compounds;
aluminium compounds;
semiconductor device noise;
semiconductor device measurement;
26.
Effect of recess length on DC and RF performance of gate-recessed AlGaN/GaN GaN HEMTs
机译:
凹槽长度对栅极凹槽AlGan / GaN GaN Hemts的直流和RF性能的影响
作者:
A. Kuliev
;
V. Kumar
;
R. Schwindt
;
D. Selvanathan
;
A. M. Dabiran
;
P. Chow
;
I. Adesida
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
27.
Silicon tunnel diodes formed by proximity rapid thermal diffusion
机译:
硅隧道二极管通过邻近快速热扩散形成
作者:
Jinli Wang
;
Dane Wheeler
;
Yan Yan
;
Jialin Zhao
;
Scott Howard
;
Alan Seabaugh
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
28.
Advanced large-signal modeling of GaN-HEMTs
机译:
Gan-Hemts的先进大信号建模
作者:
M. Berroth E. Chigaeva
;
I. Dettmann
;
N. Wieser
;
W. Vogel
;
H. Roll
;
F. Scholz
;
H. Schweizer
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
29.
InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors
机译:
INP / GAASSB / INP双异质结双极晶体管
作者:
C. R. Bolognesi
;
M. W. Dvorak
;
S. P. Watkins
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
30.
Design of GaN/AlGaN HEMT class-E power amplifier considering trapping and thermal effects
机译:
考虑诱捕和热效应的GaN / Algan HEMT Class-E功放设计
作者:
Syed S. Islam
;
A. F. M. Anwar
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
31.
Power amplification in UHF band using SiC RF power BJTs
机译:
使用SiC RF Power BJTS的UHF频段功率放大
作者:
Anant Agarwal
;
Craig Capell
;
Binh Phan
;
James Milligan
;
John W. Palmour
;
Jerry Stambaugh
;
Howard Bartlow
;
Ken Brewer
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
32.
The heterogeneous integration of InAlAs/InGaAs heterojunction diodes on GaAs: impact of wafer bonding on structural and electrical characteristics
机译:
Inalas / Ingaas异质结二极管在GaAs上的异质整合:晶圆键合对结构和电气特性的影响
作者:
Tong-Ho Kim
;
Changhyun Yi
;
April S. Brown
;
Peter Moran
;
Thomas Kuech
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
33.
Performance and modeling of antimonide-based heterostructure backward diodes for millimeter-wave detection
机译:
基于锑的异质结构反向二极管进行毫米波检测的性能和建模
作者:
P. Fay
;
J. N. Schulman
;
S. Thomas III
;
D. H. Chow
;
Y. K. Boegeman
;
K. S. Holabird
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
34.
Digital etching for highly reproducible low damage gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN Hemts上的高度可重复低损伤闸门的数字蚀刻
作者:
D. Buttari
;
S. Heikman
;
S. Keller
;
U. K. Mishra
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
35.
Antimony-based quaternary alloys for high-speed low-power electronic devices
机译:
高速低功耗电子设备的锑基四元合金
作者:
R. Magno
;
B. R. Bennett
;
K. Ikossi
;
M. G. Ancona
;
E. R. Glaser
;
N. Papanicolaou
;
J. B. Boos
;
B. V. Shanabrook
;
A. Gutierrez
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
36.
AlGaAsSb/InGaAs/AlGaAsSb metamorphic HEMTs
机译:
Algaassb / Ingaas / Algaassb变质垫
作者:
Richard T. Webster
;
A. F. M. Anwar
;
John L. Heaton
;
Kirby Nichols
;
Scott Duncan
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
37.
AlGaAsSb-InGaAsSb-GaSb epitaxial heterostructures for uncooled infrared detectors
机译:
用于未冷却红外探测器的藻类 - ingaassb-gasb外观结构
作者:
Oleg V. Sulima
;
Sarbajit Datta
;
Jeff A. Cox
;
Michael G. Mauk
;
Sir B. Rafol
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
38.
Novel Ni-based ohmic contacts to n-SiC for high temperature and high power device applications
机译:
基于新的NI基欧姆触点对于高温和高功率器件应用的N-SiC
作者:
M. W. Cole
;
J. D. Demaree
;
C. W. Hubbard
;
M. C. Wood
;
M. H. Ervin
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
39.
Three-dimensional integration in silicon electronics
机译:
硅电子的三维集成
作者:
Sandip Tiwari
;
H. -S. Kim
;
S. Kim
;
A. Kumar
;
C. C. Liu
;
L. Xue
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
40.
Intersubband transitions in narrow InAs/AlSb Quantum wells
机译:
狭窄的INAS / ALSB量子阱中的运动器过渡
作者:
D. C. Larrabee
;
J. Tang
;
M. Liang
;
G. A. Khodaparast
;
J. Kono
;
K. Ueda
;
Y. Nakajima
;
O. Suekane
;
S. Sasa
;
M. Inoue
;
K. I. Kolokolov
;
J. Li
;
C. Z. Ning
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
41.
Epitaxial ternary and quaternary III-V antimonide substrates
机译:
外延三元和季醛III-V抗衍生子基材
作者:
Michael G. Mauk
;
Jeffrey A. Cox
;
Oleg V. Sulima
;
Sarbajit Datta
;
Anthony N. Tata
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
42.
Dynamic loadline analysis of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
Algan / GaN Hemts的动态载体线分析
作者:
Bruce M. Green
;
Valery S. Kaper
;
Vinayak Tilak
;
James R. Shealy
;
Lester F. Eastman
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
43.
Comparison of surface passivation on films for reduction of current collapse in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
机译:
ALGAN / GAN高电子迁移率晶体管降低电流塌陷膜表面钝化的比较
作者:
B. Luo
;
R. Mechandru
;
J. Kim
;
F. Ren
;
B. P. Gila
;
A. H. Onstine
;
C. R. Abernathy
;
S. J. Pearton
;
R. Fitch
;
J. Gillespie
;
T. Jenkins
;
J. Sewell
;
D. Via
;
A. Crespo
;
Y. Irokawa
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
44.
Advances in diamond surface channel FET technology with focus on large signal properties
机译:
钻石表面通道FET技术的进展,重点在大信号特性上
作者:
M. Kubovic
;
A. Aleksov
;
A. Denisenko
;
E. Kohn
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
45.
Packaging of microwave integrated circuits operating beyond 100 GHz
机译:
微波集成电路的包装超出100 GHz
作者:
Erik Daniel
;
Vladimir Sokolov
;
Scott Sommerfeldt
;
James Bublitz
;
Kimberly Olson
;
Barry Gilbert
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
46.
On-chip out-of-plane high-Q inductors
机译:
片上平面外高Q电感器
作者:
Koenraad Van Schuylenbergh
;
Christopher L. Chua
;
David K. Fork
;
Jeng-Ping Lu
;
Bernie Griffiths
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
47.
Thermal and trapping effects in GaN-based MESFETs
机译:
GaN基MESFET中的热量和诱捕效果
作者:
Syed S. Islam
;
A. F. M. Anwar
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
48.
Ohmic contact technology in III-V nitrides using polarization effects in Cap layers
机译:
在III-V氮化物中的欧姆接触技术使用盖层中的极化效应
作者:
Th. Gessmann
;
J. W. Graff
;
Y. -L. Li
;
E. L. Waldron
;
E. F. Schubert
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
49.
Lessons in compounds semiconductor device development
机译:
化合物半导体器件开发的课程
作者:
Umesh K. Mishra
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
50.
RF and DC characteristics of low-leakage InAs/AlSb HFETs
机译:
低泄漏INAS / ALSB HFET的RF和DC特性
作者:
Brar B.
;
Nagy G.
;
Bergman J.
;
Sullivan G.
;
Rowell P.
;
Lin H.K.
;
Dahlstrom M.
;
Kadow C.
;
Rodwell M.
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
关键词:
UHF field effect transistors;
low;
InAs/AlSb;
HFETs;
DC characteristics;
characteristics measurement;
III-V semiconductors;
aluminium compounds;
indium compounds;
semiconductor device measurement;
leakage currents;
microwave field effect transistors;
51.
Molecular beam deposition of low-resistance polycrystalline InAs
机译:
低抗性多晶InAs的分子束沉积
作者:
Scott D.
;
Urteaga M.
;
Parthasarathy N.
;
English J.H.
;
Rodwell M.J.W.
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
关键词:
indium compounds;
electron dens;
electron mobility;
Hall mobility;
contact resistance;
electrical resistivity;
semiconductor growth;
molecular beam epitaxial growth;
semiconductor epitaxial layers;
semiconductor doping;
silicon;
III-V semiconductors;
52.
Thermal and trapping effects in GaN-based MESFETs
机译:
GaN基MESFET中的热量和诱捕效果
作者:
Islam S.S.
;
Anwar A.F.M.
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
关键词:
power MESFET;
Volterra series te;
Volterra series;
semiconductor device models;
electron traps;
thermal stability;
wide band gap semiconductors;
III-V semiconductors;
gallium compounds;
microwave power transistors;
microwave field effect transistors;
53.
Ultrafast optical manipulation of ferromagnetic order in InMnAs/GaSb
机译:
超快光学操纵Inmnas / Gasb中的铁磁顺序
作者:
Wang J.
;
Khodaparast G.A.
;
Kono J.
;
Slupinski T.
;
Oiwa A.
;
Munekata H.
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
关键词:
magnetic semiconductors;
magnetic hysteresis;
coercive force;
spin polarised transport;
electron spin polarisation;
Kerr magneto-optical effect;
ferromagnetic materials;
III-V semiconductors;
gallium compounds;
manganese compounds;
indium compounds;
54.
ION IMPLANTED SiC STATIC INDUCTION TRANSISTOR WITH 107 W OUTPUT POWER AND 59 POWER ADDED EFFICIENCY UNDER CW OPERATION AT 750 MHZ
机译:
具有107W输出功率的离子植入式SiC静电感应晶体管,并在750 MHz下的CW操作下的59%功率增加效率
作者:
G. C. DE SALVO
;
P. M. ESKER
;
T. A. FLINT
;
J. A. OSTOP
;
E. J. STEWART
;
T. J. KNIGHT
;
K. J. PETROSKY
;
S. D. VAN CAMPEN
;
R. C. CLARKE
;
G. M. BATES
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
55.
NOISE CHARACTERISTICS OF FIELD-PLATED GAN HEMTS
机译:
现场镀GaN Hemts的噪声特性
作者:
Y.-F. WU
;
M. MOORE
;
T. WISLEDER
;
P.M. CHAVARKAR
;
P. PARIKH
;
A. SAXLER
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
56.
ANALYTICAL MODEL FOR NON-SELF ALIGNED BURIED P-LAYER SiC MESFET
机译:
非自动对齐埋藏P层SiC MESFET的分析模型
作者:
R.S GUPTA
;
SANDEEP KUMAR AGGARWAL
;
RITESH GUPTA
;
MRIDULA GUPTA
;
SUBHASIS HALDAR
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
57.
RF and Dc characteristics of low-leakage InAs/AlSb HFETs
机译:
低泄漏INAS / ALSB HFET的RF和DC特性
作者:
B. Brar
;
G. Nagy
;
J. Bergman
;
G. Sullivan
;
P. Rowell
;
H. K. Lin
;
M. Dahlstrom
;
C. Kadow
;
M. Rodwell
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
58.
Microwave power SiC MESFETs and GaN HEMTs
机译:
微波功率SiC MESFET和GAN HEMTS
作者:
A. P. Zhang
;
L. B. Rowland
;
E. B. Kaminsky
;
J. W. Kretchmer
;
R. A. Beaupre
;
J. L. Garrett
;
J. B. Tucker
;
B. J. Edward
;
J. Foppes
;
A. F. Allen
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
59.
An Ebers-Moll model for heterostructure bipolar transistors with tunnel junctions
机译:
具有隧道连接的异质双极晶体管的EBERS-MOLL模型
作者:
Juan M. Lopez-Gonzalez
;
Dave M. Keogh
;
Peter M. Asbeck
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
60.
SiGe diffusion barries for p-doped Si/SiGe resonant interband tunnel diodes
机译:
适用于P掺杂Si / SiGe共谐振隧道二极管的SiGe扩散驻留
作者:
Niu Jin
;
Anthony T. Rice
;
Paul R. Berger
;
Phillip E. Thompson
;
Peter H. Chi
;
David S. Simons
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
61.
Physics of GaN-based high-power lasers
机译:
GaN基大功率激光器的物理学
作者:
Joachim Piprek
;
Shuji Nakamura
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
62.
Three decades of our graduate research and education in compounds semiconduction materials and devices
机译:
我们在化合物的半导体材料和设备中研究生研究和教育三十年
作者:
Lester F. Eastman
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
63.
Evaluation of interfaces in narrow InAs/AlSb quantum wells
机译:
窄INAS / ALSB量子阱中界面评估
作者:
J. Tang
;
D. C. Larrabee
;
B. E. Brinson
;
G. A. Khodaparast
;
J. Kono
;
K. Ueda
;
Y. Nakajima
;
O. Suekane
;
S. Sasa
;
M. Inoue
;
K. I. Kolokolov
;
J. Li
;
C. Z. Ning
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
64.
Picosecond time-resolved cyclotron resonance study of InSb quantum wells in a quantizing magnetic field
机译:
量化磁场中INSB量子阱的PICOSECOND时间分辨回旋共振研究
作者:
D. C. Larrabee
;
G. A. Khodaparast
;
J. Kono
;
D. S. King
;
S. J. Chung
;
M. B. Santos
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
65.
MMIC compatible AlSb/InAs HEMT with stable AlGaSb buffer layers
机译:
MMIC兼容的ALSB / INAS HEMT,稳定的AlGASB缓冲层
作者:
R. Tsai
;
M. Barsky
;
J. Lee
;
J. B. Boos
;
B. R. Bennett
;
R. Magno
;
C. Namba
;
P. H. Liu
;
A. Gutierrez
;
R. Lai
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
66.
Impact ionization in high performance AlGaN/GaN HEMTs
机译:
高性能的冲击电离AlGaN / GaN Hemts
作者:
B. Brar
;
K. Boutros
;
R. E. DeWames
;
V. Tilak
;
R. Shealy
;
L. Eastman
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
67.
LOW FREQUENCY NOISE PARAMETERS IN AN AlGaN/ GaN HETEROSTRUCTURE WITH 33 AND 75 Al MOLE FRACTION
机译:
AlGaN / GaN异质结构中的低频噪声参数,具有33%和75%的Al Mole分数
作者:
S.A.VITUSEVICH
;
S.V.DANYLYUK
;
N.KLEIN
;
M.V.PETRYCHUK
;
A.E.BELYAEV
;
A. VERTIATCHIKH
;
L.F. EASTMAN
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
68.
EFFECTS OF BUFFER LAYER THICKNESS AND DOPING CONCENTRATION ON SiC MESFET CHARACTERISTICS
机译:
缓冲层厚度和掺杂浓度对SiC MESFET特性的影响
作者:
SANKHA S. MUKHERJEE
;
SYED S. ISLAM
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
69.
HIGH-VOLTAGE DIAMOND SCHOTTKY RECTIFIERS
机译:
高压钻石肖特基整流器
作者:
W. HUANG
;
T.P. CHOW
;
J. YANG
;
J.E. BUTLER
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
70.
SPICE MODEL OF AlGaN/GaN HEMTs AND SIMULATION OF VCO AND POWER AMPLIFIER
机译:
Algan / GaN HEMTS的Spice模型及VCO和功率放大器仿真
作者:
SYED S. ISLAM
;
A.F.M. ANWAR
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
71.
STABLE HIGH POWER GaN-ON-GaN HEMT
机译:
稳定的高功率Gan-On-GaN Hemt
作者:
K.K. CHU
;
P.C. CHAO
;
J.A. WINDYKA
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
72.
VERTICAL SCALING OF TYPE I InP HBT WITH F{sub}T > 500 GHZ
机译:
I型INP HBT的垂直缩放,具有F {SUB} T> 500 GHz
作者:
J. W. LAI
;
W. HAFEZ
;
M. FENG
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
73.
VERTICAL SCALING OF TYPE Ⅰ InP HBT WITH F_T > 500 GHZ
机译:
Ⅰ型INP HBT的垂直缩放,F_T> 500 GHz
作者:
J.W. LAI
;
W. HAFEZ
;
M. FENG
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
74.
DESIGN OF HIGH VOLTAGE 4H-SiC SUPERJUNCTION SCHOTTKY RECTIFIERS
机译:
高压4H-SIC超结的设计肖特基整流器
作者:
Lin Zhu
;
Peter Losee
;
T. Paul Chow
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
75.
LEAKY SURFACE ACOUSTIC WAVES IN SINGLE-CRYSTAL AlN SUBSTRATE
机译:
单晶ALN衬底中的漏水表面声波
作者:
GANG BU
;
DAUMANTAS CIPLYS
;
MICHAEL S. SHUR
;
LEO J. SCHOWALTER
;
SANDRA B. SCHUJMAN
;
REMIS GASKA
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
76.
PHOTOCAPACITANCE OF GaAs THIN-FILM STRUCTURES FABRICATED ON A SEMI-INSULATING COMPENSATED SUBSTRATE
机译:
在半绝缘补偿基板上制造的GaAs薄膜结构的光电容
作者:
NIKOLAI B. GOREV
;
INNA F. KODZHESPIROVA
;
EVGENY N. PRIVALOV
;
NINA KHUCHUA
;
LEVAN KHVEDELIDZE
;
MICHAEL S. SHUR
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
77.
Compact circuit model of GaN HFETs for mixed signal circuits
机译:
混合信号电路GaN HFET的紧凑电路模型
作者:
Adam Conway
;
Peter Asbeck
;
Joseph Jensen
;
Wah S. Wong
;
Mehran Mokhtari
;
Jeong Moon
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
78.
Silicon-germanium power devices at low temperatures for deep-space applications
机译:
硅锗功率器件在低温下为深空应用
作者:
A. Vijh
;
V. J. Kapoor
;
R. L. Patterson
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
79.
30 years of accomplishments in compound semiconductor materials and devices attributable to Prof. Lester F. Eastman
机译:
30年的复合半导体材料和装置归属于莱斯特F. Eastman教授的装置
作者:
Max N. Yoder
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
80.
GaInP/GaAs tunnel collector HBTs: base-collector barrier height analysis
机译:
GAINP / GAAS隧道收集器HBT:基础收集器屏障高度分析
作者:
D. M. Keogh
;
R. J. Welty
;
J. Lopez-Gonzalez
;
C. R. Lutz
;
R. E. Welser
;
P. M. Asbeck
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
81.
Molecular beam deposition of low-resistance polycrystalline InAs
机译:
低抗性多晶InAs的分子束沉积
作者:
D. Scott
;
M. Urteaga
;
N. Parthasarathy
;
J. H. English
;
M. J. W. Rodwell
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
82.
Ge incorporation in SiC and the effects on device performance
机译:
GE在SIC中并入和对设备性能的影响
作者:
K. J. Roe
;
M. W. Dashiell
;
G. Xuan
;
E. Ansorge
;
G. Katulka
;
N. Sustersic
;
X. Zhang
;
J. Kolodzey
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
83.
The electrical effects of DNA as the gate electrode of MOS transistors
机译:
DNA作为MOS晶体管栅电极的电气效应
作者:
M. W. Dashiell
;
A. T. Kalambur
;
R. Leeson
;
K. J. Roe
;
J. F. Rabolt
;
J. Kolodzey
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
84.
CCD measurements of guided optical mode attenuation in GaN layers
机译:
GaN层中引导光学模式衰减的CCD测量
作者:
G. Bu
;
D. Ciplys
;
M. Shur
;
R. Gaska
;
R. Rimeika
;
A. Khan
;
J. Yang
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
85.
40 GHz MMIC power amplifier in InP DHBT technology
机译:
INP DHBT技术中的40 GHz MMIC功率放大器
作者:
Yun Wei
;
Krishnan Sundararajan
;
Miguel Urteaga
;
Zach Griffith
;
Dennis Scott
;
Vamsi Paidi
;
Navin Parthasarathy
;
Mark Rodwell
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
86.
Ge incorporation in SiC and the effects on device performance
机译:
GE在SIC中并入和对设备性能的影响
作者:
Roe K.J.
;
Dashiell M.W.
;
Xuan G.
;
Ansorge E.
;
Katulka G.
;
Sustersic N.
;
Zhang X.
;
Kolodzey J.
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
关键词:
silicon compounds;
high-voltage devices;
semiconductor doping;
ion implantation;
current density;
power bipolar transistors;
heterojunction bipolar transistors;
power semiconductor diodes;
wide band gap semiconductors;
p-n heterojunctions;
germanium;
87.
Comparison between Si-LDMOS and GaN-based microwave power transistors
机译:
SI-LDMOS与GAN的微波功率晶体管的比较
作者:
S. Nuttinck
;
E. Gebara
;
J. Laskar
;
N. Rorsman
;
J. Olsoon
;
H. Zirath
;
K. Eklund
;
M. Harris
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
88.
AlGaN/GaN HEMT high-power and low-noise performance at f≥20 GHz
机译:
Algan / GaN HEMT在F≥20GHz的高功率和低噪声性能
作者:
I. P. Smorchkova
;
M. Wojtowicz
;
R. Tsai
;
R. Sandhu
;
M. Barsky
;
C. Namba
;
P. H. Liu
;
R. Dia
;
M. Truong
;
D. Ko
;
J. Wang
;
H. Wang
;
A. Khan
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
89.
DC and RF performance of InAs-based bipolar transistors at very low Bias
机译:
基于INA的双极晶体管的直流和RF性能在非常低的偏差
作者:
D. Sawdai
;
C. Monier
;
A. Cavus
;
T. Block
;
R. Sandhu
;
M. S. Goorsky
;
A. Gutierrez-Aitken
;
J. Woodall
;
G. Wicks
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2002年
90.
2KV 4H-SiC DMOSFETS FOR LOW LOSS, HIGH FREQUENCY SWITCHING APPLICATIONS
机译:
2KV 4H-SIC DMOSFET用于低损耗,高频开关应用
作者:
SEI-HYUNG RYU
;
SUMI KRISHNASWAMI
;
MRINAL DAS
;
JAMES RICHMOND
;
ANANT AGARWAL
;
JOHN PALMOUR
;
JAMES SCOFIELD
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
91.
2 KV 4H-SiC DMOSFETS FOR LOW LOSS, HIGH FREQUENCY SWITCHING APPLICATIONS
机译:
2 kV 4H-SiC DMOSFET用于低损耗,高频开关应用
作者:
SEI-HYUNG RYU
;
SUMI KRISHNASWAMI
;
MRINAL DAS
;
JAMES RICHMOND
;
ANANT AGARWAL
;
JOHN PALMOUR
;
JAMES SCOFIELD
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
92.
FABRICATION OF SELF-ALIGNED T-GATE AlGaN/GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS
机译:
自对准T型栅极AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的制造
作者:
JAESUN LEE
;
DONGMIN LIU
;
HYEONGNAM KIM
;
MICHAEL L. SCHUETTE
;
WU LU
;
JEFFREY S. FLYNN
;
GEORGE R. BRANDES
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
93.
THICK GaN LAYER GROWN BY Ga VAPOR TRANSPORT TECHNIQUE
机译:
GA蒸汽运输技术生长的厚GAN层
作者:
HUAQIANG WU
;
PHANIKUMAR KONKAPAKA
;
YURI MAKAROV
;
MICHAEL G. SPENCER
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
94.
HIGH POWER, DRIFT-FREE 4H-SiC PIN DIODES
机译:
高功率,无漂移的4H-SiC引脚二极管
作者:
MRINAL K. DAS
;
JOSEPH J. SUMAKERIS
;
BRETT A. HULL
;
JIM RICHMOND
;
SUMI KRISHNASWAMI
;
ADRIAN R. POWELL
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
95.
ANALYSIS OF GaN HBT STRUCTURES FOR HIGH POWER, HIGH EFFICIENCY MICROWAVE AMPLIFIERS
机译:
高功率,高效微波放大器GaN HBT结构分析
作者:
D.M. KEOGH
;
J.C. LI
;
A.M. CONWAY
;
D. QIAO
;
S. RAYCHAUDHURI
;
P.M. ASBECK
;
R.D. DUPUIS
;
M. FENG
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
96.
ANALYSIS OF HIGH DC CURRENT GAIN STRUCTURES FOR GaN/InGaN/GaN HBTs
机译:
GaN / Ingan / GaN Hbts高直流电流增益结构分析
作者:
JAMES C. LI
;
DAVID M. KEOGH
;
SOUROBH RAYCHAUDHURI
;
ADAM CONWAY
;
DONGJIANG QIAO
;
PETER M. ASBECK
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
97.
BENCHMARK RESULTS FOR HIGH-SPEED 4-BIT ACCUMULATORS IMPLEMENTED IN INDIUM PHOSPHIDE DHBT TECHNOLOGY
机译:
高速4位蓄能器的基准结果在磷化铟DHBT技术中实施
作者:
STEVEN EUGENE TURNER
;
DAVID E. KOTECKI
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
98.
ANALYSIS OF OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER FOR APPLICATION IN GHz FREQUENCY RANGE
机译:
基于GHz频率范围应用的操作跨导放大器分析
作者:
A. GHORI
;
P. GHOSH
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
99.
TWO-DIMENSIONAL ANALYTICAL MODELING AND SIMULATION OF RETROGRADE DOPED HMG MOSFET
机译:
逆行掺杂HMG MOSFET的二维分析建模与仿真
作者:
R.S GUPTA
;
KIRTI GOEL
;
MRIDULA GUPTA
;
MANOJ SAXENA
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
100.
NUMERICAL INVESTIGATION OF THE EFFECT OF DOPING PROFILES ON THE HIGH FREQUENCY PERFORMANCE OF InP/InGaAs SUPER SCALED HBTs
机译:
掺杂谱对INP / Ingaas超尺度HBT的高频性能影响的数值研究
作者:
DMITRY VEKSLER
;
MICHAEL S. SHUR
;
V.E. HOUTSMA
;
N.G. WEIMANN
;
Y.K. CHEN
;
IEEE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2005年
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