公开/公告号CN110137076A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-16
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳爱仕特科技有限公司;
申请/专利号CN201910464444.3
发明设计人 杨良;
申请日2019-05-30
分类号H01L21/04(20060101);H01L21/324(20060101);
代理机构44462 东莞市卓越超群知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人骆爱文;王丽
地址 518000 广东省深圳市福田区福保街道市花路5号长富金茂大厦22层2201-01
入库时间 2024-02-19 13:58:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/04 申请日:20190530
实质审查的生效
2019-08-16
公开
公开
机译: SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法和SiC功率半导体器件的制造方法
机译: SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法及SiC功率半导体器件的制造方法
机译: SiC外延晶片,SiC外延晶片的制造方法,SiC器件和功率转换器件