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王莉; 朱萍;
南京航空航天大学自动化学院,南京,210016;
电力电子与电力传动; SiC功率器件; 宽带半导体器件;
机译:在可持续性宽带隙功率器件的硅顺应性基板和新型3C-SiC基板上异质外延生长3C-SiC(挑战)
机译:SiC半导体功率器件的研发和实际应用策略:AIST在开发新型半导体器件中的作用
机译:应用于宽带间隙功率半导体器件电力电子设备的期望和问题
机译:在硅顺应性基板上和用于可持续宽带间隙功率器件(挑战)的新型3C-SiC基板上的3C-SiC异质外延生长
机译:用于高功率密度应用的SiC功率器件的电气集成。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:针对恶劣环境应用的新型混合Si / SiC功率器件的仿真
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法和SiC功率半导体器件的制造方法
机译:SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法及SiC功率半导体器件的制造方法
机译:SiC外延晶片,SiC外延晶片的制造方法,SiC器件和功率转换器件
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