应用于空基相控阵雷达的新型功率器件--SIC射频功率MESFET

杨林安; 于春利; 张义门

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根据空基相控阵雷达的工作环境,对4H-SiC材料及SiC功率器件(SiC MESFET)的特点进行了分析.与GaAs器件相比,这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景.同时建立了用于器件CAD技术的SiC MESFET改进型非线性大信号模型,这种基于实验测量的模型通过SPICE模拟器对器件的功率特性进行了分析,与实验结果符合较好.

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来源
《空军工程大学学报（自然科学版）》|2001年第3期|69-72|共4页
作者
杨林安; 于春利; 张义门;
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作者单位

空军工程大学电讯工程学院,;

空军工程大学工程学院,;

西安电子科技大学,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类相控阵雷达;
关键词
空基相控阵雷达; SiC MESFET; 射频功率器件; 非线性大信号模型;

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