4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

摘要

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。本论文通过对Ni、Al、镍硅化物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm的SiCMESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。