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陈刚; 柏松; 张涛; 汪浩; 李哲洋; 蒋幼泉;
南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室;
南京;
210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室;
210016;
4H-SiC; 金属半导体场效应管; 微波; 宽禁带半导体;
机译:4H-SiC MESFET器件性能下降的辐射源依赖性
机译:GaAs MESFET与硅CMOS器件和电路共集成的单片工艺
机译:通过改进的器件工艺来制造没有双极性退化的4H-SiC PiN二极管
机译:p缓冲层厚度不同的4H-SiC MESFET在微波功率器件应用中的数值模拟
机译:非线性器件表征和二次谐波阻抗调谐,可在2GHz时实现碳化硅功率MESFET器件的峰值性能。
机译:具有重掺杂区域的新型4H-SiC MESFET轻微掺杂的区域和绝缘区域
机译:4H-siC器件中的非微管位错:电性能和器件技术的影响
机译:GaAs MESFET器件的自对准制造工艺
机译:具有自对准凸起的源极和漏极区的III-V半导体MESFET器件的形成工艺
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