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张小玲; 李菲; 谢雪松; 吕长志; 李志国;
中国电子学会;
广州市科协;
AlGaN; GaN HEMT; 双异质结结构; 漏源电流;
机译:不同GaN / AlGaN异质结构的UV导向器温度特性研究
机译:不同栅极长度的AlInN(AlGaN)/ AlN / GaN MOSHEMT的直流和微波特性的建模和仿真
机译:基于AlGaN / Ingan / GaN结构的光通量在各种密度的直流流动时基于AlGaN / Ingan / GaN结构的发光二极管减小的机理和行为
机译:不同栅极长度的自热效应及其对AlGaN / GaN HEMT直流特性的影响的仿真
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:具有铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和工作特性:仿真研究
机译:AlGaN / GaN异质结构中的温度依赖有效质量的实验证据通过2D等离子体的光谱观察到的AlGaN / GaN异质结构
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:GaN / AlGaN /或AlGaN / AlGaN量子阱结构的形成方法
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
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