具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性

摘要

研制成功具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4μm的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上,肖特基反向漏电由37μA减小到5.7μA,减小了一个量级.肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上.另外,还初步讨论了高频特性.