AlGaN/GaN HEMT不同结构的直流及温度特性仿真

摘要

采用ISE仿真软件对Al GaN/GaN HEMT不同纵向结构的直流特性进行仿真,得到常规、倒置和双异质结结构的最大跨导分别为369、261、495mS/mm,最大漏源电流分别为681.21、467.56、1004.6mA/mm,其特性随温度的升高而下降。