...
机译:基于AlGaN / Ingan / GaN结构的光通量在各种密度的直流流动时基于AlGaN / Ingan / GaN结构的发光二极管减小的机理和行为
Natl Univ Sci &
Technol MISiS Moscow 119049 Russia;
机译:基于AlGaN / Ingan / GaN结构的光通量在各种密度的直流流动时基于AlGaN / Ingan / GaN结构的发光二极管减小的机理和行为
机译:具有p-AlGaN / InGaN超晶格末量子势垒的GaN基发光二极管的优势
机译:基于应变补偿InGaN-AlGaN / GaN量子阱的双蓝光发光二极管
机译:高亮度绿色InGaN / AlGaN / GaN单量子阱发光二极管中的电流传输和发射机理
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:具有AlGaN / GaN / AlGaN量子阱结构的电子阻挡层的蓝色InGaN / GaN发光二极管的优势
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质