半导体硅片的电化学研究Ⅰ.N(100)硅片

摘要

采用电化学直流极化和交流阻抗技术，并通过控制光照条件，研究了Ｎ（１００）硅片／氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能。结果表明，有光照条件下，硅片／氢氟酸界面上的电化学反应很容易发生且起主导作用，黑暗条件下硅片处于消耗期，因而其半导体性能起着重要的作用。