半导体硅片的p-n结和铜沉积行为的电化学研究

摘要

分别采用电化学直流极化和交流阻抗技术 ,通过控制光照和溶液化学组分 ,研究了半导体硅片 /氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能 .对 p( 1 0 0 )和 n( 1 0 0 )两种硅片的研究结果均表明 ,有光照条件下硅 /氢氟酸界面上的电化学反应很容易发生且起着主导作用 ,而黑暗条件下硅片则处于消耗期 ,电化学反应难于发生 ,因而其半导体性能起着重要的作用 .当溶液中有微量铜存在时 ,硅 /溶液界面上的电化学反应将被加速 .通过单独研究两种硅片的电化学行为 ,讨论了半导体硅片在氢氟酸溶液中形成的 p- n接点行为 ,并通过考察溶液中的铜离子浓度、光照条件和沉积时间对铜在硅片上的沉积行为的影响 ,探讨了铜沉积机理 .研究结果表明 ,电化学交流阻抗法对研究稀释氢氟酸溶液中 ppb浓度水平的微量铜杂质对硅片表面的污染极为有效 ,有望用于半导体硅片表面铜污染的检测