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赵红平; 孙远; 雷威; 张晓兵;
教育部;
国务院学位办;
碳纳米管; 碳管密度; 阴极阵列结构; 场致发射显示技术;
机译:场穿透引起的电荷再分布对碳纳米管场发射特性的影响-第一性原理研究
机译:温度和电场对单个单壁碳纳米管场发射能量分布的影响
机译:电子分布在碳纳米管上的量子尺寸依赖性及其对场发射的影响
机译:用原子氧照射评价碳纳米管场发射阴极对碳纳米管场发射阴极的影响
机译:碳纳米管的场发射和碳纳米管中的化学镀银:利用在多孔氧化铝中形成的碳纳米管。
机译:衬底形态对碳纳米管薄膜生长和场发射特性的影响
机译:高温热退火后碳纳米管场发射器的场发射行为
机译:分布式发射和注入光束交叉场放大器的仿真。第一部分分布式发射交叉场放大器。
机译:具有布置在阳极上部板和阴极下部板之间的屏蔽罩的碳纳米管场发射装置,从而防止碳纳米管受到阳极场的影响
机译:碳纳米管场电子发射体的制造方法以及由其制造的包含场电子发射体的场电子发射装置,能够有效地制造碳纳米管场发射电子源
机译:利用金属粘合剂和该方法制造的碳纳米管场发射电子束发射器制造高放电率和高稳定性碳纳米管场发射电子束发射器的方法
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