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一种改善场发射特性的碳纳米管场发射阴极的制备方法

摘要

本发明涉及一种改善场发射特性的碳纳米管场发射阴极的制备方法,包括:(1)衬底和碳纳米管的预处理;(2)碳纳米管浆料配制;(3)采用常规的丝网印制工艺,将碳纳米管浆料印制在衬底上;(4)碳纳米管印制层的烧结处理;(5)碳纳米管薄膜的后处理。本发明的制备方法通过对碳纳米管阴极薄膜进行电流处理从而使碳纳米管阴极薄膜表面的有机浆料蒸发,碳纳米管缺陷增加,提高碳纳米管阴极的场发射稳定性和均匀性,使制造的场发射显示器件在高亮度下的发光稳定性和均匀性较普通阴极器件显著提高。

著录项

  • 公开/公告号CN101794696A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东华大学;

    申请/专利号CN201010132591.X

  • 发明设计人 方建放;邹儒佳;薛绍林;

    申请日2010-03-25

  • 分类号H01J9/02;

  • 代理机构上海泰能知识产权代理事务所;

  • 代理人黄志达

  • 地址 201620 上海市松江区松江新城区人民北路2999号

  • 入库时间 2023-12-18 00:31:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-03-28

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J9/02 公开日:20100804 申请日:20100325

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-09-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J9/02 申请日:20100325

    实质审查的生效

  • 2010-08-04

    公开

    公开

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