退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN101042977B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;
申请/专利号CN200610060018.6
发明设计人 魏洋;刘亮;魏巍;姜开利;范守善;
申请日2006-03-22
分类号
代理机构
代理人
地址 北京市海淀区清华大学物理系
入库时间 2022-08-23 09:08:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-12-21
授权
2007-11-21
实质审查的生效
2007-09-26
公开
机译: 场发射型电子源阵列的制造方法,场发射型电子源阵列及其制造装置以及碳纳米管的分离纯化方法
机译: 碳纳米管场电子发射体的制造方法以及由其制造的包含场电子发射体的场电子发射装置,能够有效地制造碳纳米管场发射电子源
机译: 利用催化剂制造碳纳米管的方法,场发射电子源的制造方法,场发射电子源和场发射显示器
机译:用单个碳纳米管发射器制造微栅场发射阵列的方法
机译:可寻址的场发射器阵列:一种用于设计场发射器的工具,可将多束电子源降落
机译:概念编码孔径微型质谱仪的证明使用摆线扇形质量分析仪,碳纳米管(CNT)场发射电子电离源和阵列检测器
机译:双栅极金属场 - 发射极阵列阴极具有通过模制和自对准栅极工艺制造的具有控制顶尖尺寸的双栅极金属场 - 发射极阵列阴极的四端子 - 发射特性
机译:基于碳纳米管场发射器和电子倍增器微通道板的强大,高电流冷电子源。
机译:用于微放射治疗的碳纳米管场发射多像素x射线阵列源
机译:利用自组装单层制造柔性场发射极阵列碳纳米管阵列
机译:具有电子场发射特性的小直径碳纳米管的合成方法。