关态应力下AlGaN/GaN HEMT的Kink效应研究

摘要

采用短时间关态应力,对AlGaN/GaN HEMT器件的Kink效应进行研究。短时间应力未导致器件发生明显的退化,因此它可以作为Kink效应的电学表征手段。我们发现,关态应力(Vds20v&Vgs=20v&Vs=OV)后,pre-kink区的电流减小了28％,Gd.peak增大一倍,Kink效应明显增强。应力前后的研究表明,碰撞电离不是导致Kink效应的主要原因:短时间关态应力后Kink效应增强的主导机制是关态应力激活了陷阱的电子捕获,使得陷阱效应增强,从而导致了Kink效应的增强。另外,Vdg对于电子的释放有辅助作用。