退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
马骥刚;
西安电子科技大学;
场效应器件; Kink效应; 电学应力; 可靠性分析;
机译:多指AlGaN / GaN HEMT器件操作的电热建模,包括热衬底效应
机译:AlGaN / GaN HEMT器件瞬态响应中的陷阱效应
机译:基于材料和物理尺寸的梯度Algan / GaN HEMT器件性能设计优化
机译:自热效应对AlGaN / GaN HEMT器件中钝化层的依赖性
机译:低维硅MOS和AlGaN / GaN HEMT器件中的应变效应。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:具有绝缘GaN / AlGaN缓冲层的基于III族氮化物的HEMT器件
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译:氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。