University of Florida.;
机译:用不同GaN沟道层厚度对增强型AlGaN / GaN / AlGaN / AlGan双异质结构HEMT的影响
机译:减少在硅上生长的AlGaN / GaN异质结构的热预算:迈向GaN-HEMT与CMOS单片集成的一步
机译:碳掺杂GaN和AlGaN背屏之间的热效应在Si(111)基板上的AlGaN / GaN Hemts中
机译:AlGaN / GaN HEMT中的偏压诱导应变效应,短程电子-电子相互作用和量子效应
机译:使用基于AlGaN / GaN的HEMT器件的人MIG分析和实验生物传感器。
机译:应变平衡AlGaN / GaN / AlGaN纳米膜HEMT
机译:应变平衡AlGaN / GaN / AlGaN Nanomembrane Hemts