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Control circuit for a sensitive semiconductor device of the thyristor or triac type with an impedance for enhancing self-firing

机译:用于晶闸管或三端双向可控硅开关元件的敏感半导体器件的控制电路,该电路具有用于增强自燃的阻抗

摘要

Circuit for controlling a semiconductor device (SC), comprising breaker means (M) able to establish a short-circuit between the gate and the cathode of the said device under the effect of an external command, characterised by a resistor (RGa) for enhancing self-firing, connecting the positive pole of the circuit (A) to its gate control output (G). IMAGE
机译:用于控制半导体器件(SC)的电路,包括断路器装置(M),该断路器装置(M)能够在外部命令的作用下在所述器件的栅极和阴极之间建立短路,其特征在于用于增强的电阻器(RGa)。自点火,将电路(A)的正极连接至其栅极控制输出(G)。 <图像>

著录项

  • 公开/公告号EP0110776A1

    专利类型

  • 公开/公告日1984-06-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TELEMECANIQUE;

    申请/专利号EP19830402258

  • 发明设计人 THIRE JACQUES EMILE;SOUQUES GEORGES;

    申请日1983-11-23

  • 分类号H03K17/725;H03K17/78;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 08:57:59

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