应用于脉冲功率技术的半导体开关器件RSD和SOS

摘要

本文在阐述了脉冲功率技术的发展历程、应用及半导体开关器件在现代脉冲功率技术中的重要作用的基础上,重点介绍了本实验室对基于可控等离子层换流理论而制造的两种新型半导体放电开关RSD( Reversely Switching Dynistor)和SOS( Semiconductor Opening Switch)的研究取得的成果,包括RSD的开通机理和实验研究、SOS效应测试研究等内容.