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The gas of the plasma etching device to gush and

机译:等离子蚀刻设备的气体喷涌而出

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas spouting plate for a plasma etching apparatus that enables accurate etching by eliminating distortion between an electrode plate and a cooling member. SOLUTION: A gas spouting plate 4 for a plasma etching apparatus 1 is composed of an electrode plate 11 made of silicon carbide sintered body having a structure whish passes gas, and a cooling member 12 made of silicon carbide sintered body provided thereto.
机译:解决的问题:提供一种用于等离子体蚀刻装置的气体喷出板,该气体喷出板通过消除电极板与冷却构件之间的变形而能够进行精确的蚀刻。解决方案:用于等离子体蚀刻装置1的气体喷出板4由电极板11和冷却部件12组成,该电极板11由具有气体通过结构的碳化硅烧结体制成,冷却部件12由碳化硅烧结体制成。

著录项

  • 公开/公告号JP4545330B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 イビデン株式会社;

    申请/专利号JP20010046790

  • 发明设计人 三島 篤司;

    申请日2001-02-22

  • 分类号H01L21/3065;C04B35/565;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 19:00:50

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