高纯度氟化烃、其作为等离子体蚀刻用气体的用途以及等离子体蚀刻方法

摘要

本发明是用式：R-F(式中，R表示异丁基或叔丁基)表示的氟化烃、该氟化烃作为等离子体蚀刻用气体的用途、以及使用所述氟化烃作为等离子体蚀刻用气体对层叠在硅或硅氧化物膜上的无机氮化物膜进行选择性等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法，所述氟化烃的特征在于，纯度为99.9体积％以上，所包含的丁烯类合计为1000体积ppm以下。