机译:在碳氟化合物等离子体中进行SiO_2蚀刻期间,在侧壁上重新沉积蚀刻产物。 Ⅱ。 CF_4等离子体中源功率和偏置电压的影响
Surface Engineering Laboratory, School of Chemical Engineering and Institute of Chemical Processes, Seoul National University, San 56-1, Shillim-dong, Kwanak-ku, Seoul 151-744, Korea;
机译:在碳氟化合物等离子体中进行SiO_2蚀刻期间,在侧壁上重新沉积蚀刻产物。 Ⅲ。 O_2加入CF_4血浆的影响
机译:在碳氟化合物等离子体中进行SiO_2蚀刻期间,在侧壁上重新沉积蚀刻产物。 IV。 CF_4等离子体中基板温度的影响
机译:在碳氟化合物等离子体中进行SiO_2蚀刻期间,在侧壁上重新沉积蚀刻产物。五,等离子气体中碳/氟比的影响
机译:用碳氟化碳蚀刻蚀刻SiO_2蚀刻轮廓演化的影响
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:脉冲高压辉光放电电子源的能效估计施加电极电极和阳极等离子体参数的余量。
机译:用于监测氯 - 氦等离子体中多晶硅的等离子体蚀刻期间的蚀刻均匀性的光学诊断仪器。