机译:EBDW光刻中的AZ 5214E抗蚀剂及其在N 2 sub>等离子体中刻蚀薄Ag层时用作RIE刻蚀掩模
机译:通过激光干涉,EBDW和NSOM光刻研究AZ 5214E光致抗蚀剂
机译:激光干涉和EBDW光刻中的标准AZ 5214E光致抗蚀剂
机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)和Ⅲ-Ⅴ材料的原子层刻蚀(ALE)进行低损伤刻蚀,以实现下一代器件性能。
机译:用于图案转移的高精度等离子刻蚀:基于碳氟化合物的原子层刻蚀
机译:掺杂或量子点层作为使用反射各向异性光谱(RAS)的III / V半导体反应离子蚀刻(RIE)的原位蚀刻静止指示器
机译:O2 / N2在多层电极RIE系统中的丙烯酸等离子体蚀刻
机译:等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀(RIE)和等离子体灰化过程中通道层的影响。