GaN; InGaN; photochemical etch; molecular beam epitaxy;
机译:通过分子束外延生长具有梯度间隙注入器的GaAlAs / GaAs浮栅存储器件
机译:利用气源分子束外延生长的锗岛作为刻蚀掩模形成光阱结构
机译:通过分子束外延生长的AlGaN纳米柱和AlGaN / GaN / AlGaN纳米结构
机译:利用分子束外延生长的液滴外延生长的InGaAs / GaAs环状纳米结构
机译:通过分子束外延生长的硅锗光电器件的设计,制造和表征
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:通过局部液滴刻蚀确定分子束外延生长的GaAs(001)的一致蒸发温度
机译:电感耦合等离子体(ICp)干蚀刻中三氯化硼/氯气体分子外延生长p型氮化铝镓的刻蚀特性及表面分析