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公开/公告号CN101593712B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN200910069441.6
发明设计人 徐连勇;陆国权;荆洪阳;
申请日2009-06-26
分类号
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;
代理人温国林
地址 300072 天津市南开区卫津路92号
入库时间 2022-08-23 09:08:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-01-04
授权
2010-01-27
实质审查的生效
2009-12-02
公开
机译: 用纳米银膏连接半导体芯片的方法
机译: 在用于安装半导体芯片的连接载体上的光电子半导体芯片中的可变厚度的焊接垫,用于制造光电子部件的方法以及具有这些焊料垫的光电子部件
机译: 光电芯片中可变厚度的焊片,在用于安装半导体芯片的连接基板上,制造光电元件的方法,以及具有所述焊料垫的光电元件
机译:压力辅助低温烧结纳米银浆,5次,$ 5-$ {rm mm} ^ {2} $芯片固定
机译:低温烧结纳米银浆以附着大面积($ {{>} 100〜{rm mm} ^ {2})$芯片
机译:纳米银膏无压烧结平面多芯片半桥功率模块的设计与表征
机译:使用电流快速烧结纳米银膏以连接IGBT芯片
机译:纳米银低温连接技术中干燥行为的扩散-粘性分析和实验验证。
机译:可重复使用的世界级芯片连接器的研讨会具有成本效益和简化的制造方法用于处理数量有限的样品和组装芯片阵列
机译:用于连接功率芯片的快速烧结纳米银接头的表征
机译:用于连接金属和陶瓷的钼锰基膏