法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-07-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 授权公告日:20110817 终止日期:20120522 申请日:20070522
专利权的终止
2011-08-17
授权
授权
2009-06-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-04-15
公开
公开
机译: 制造CMOS器件的方法,并施加具有沟道区的应力得到改善(形成半导体器件的方法和该半导体器件)
机译: 通过对沟道区域施加应力来改善空穴迁移率的P沟道FET及其制造方法
机译: 具有具有v形沟槽和混合沟道取向的沟道区域的CMOS器件及其形成方法