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CMOS器件; 热载流子; 退化; 栅宽度; 漏极电流;
机译:浅沟槽隔离PMOSFET中热载流子引起的退化的沟道宽度依赖性
机译:热载流子抗扰度对具有N / sub 2 / O生长栅极氧化物的MOSFET中沟道长度和沟道宽度的依赖性
机译:CMOS浅沟槽隔离至50 nm的沟道宽度
机译:浅沟槽隔离CMOS器件的一种新的基于物理和定量的宽度相关的热载流子模型
机译:具有原子层沉积的高k电介质的III-V沟道MOS器件:接口和载流子传输研究
机译:使用沟道层的单步沉积的薄膜互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:一种新的物理和定量宽度相关的浅沟槽隔离CmOs器件热载流子模型
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性
机译:通过导电掩埋沟道深度优化,减少了热载流子在隔离掩埋沟道器件中引起的寄生侧壁器件激活
机译:在CMOS器件的沟道区域中注入离子以增强载流子迁移率
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