公开/公告号CN100576459C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-12-30
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN200710042139.2
申请日2007-06-18
分类号H01L21/308(20060101);H01L21/762(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人李文红
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:03:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-02-22
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/308 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移
2009-12-30
授权
授权
2009-02-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-12-24
公开
公开
机译: 具有气隙的浅沟槽隔离结构,使用该浅沟槽隔离结构的CMOS图像传感器及其制造方法
机译: 具有防止暗电流的气隙的浅沟槽隔离结构,使用该浅沟槽隔离结构的CMOS图像传感器和制造CMOS图像传感器的方法
机译: 在半导体制造过程和半导体装置中形成浅沟槽隔离的方法,包括浅沟槽隔离