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应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法

摘要

本发明涉及具有应变半导体层的绝缘体上半导体结构。根据本发明的一个实施例,一种绝缘体上半导体结构具有包括半导体材料、附连到包括玻璃或玻璃陶瓷的第二层的第一层,且将半导体和玻璃或玻璃陶瓷的CTE选择成使第一层受到拉伸应变的作用。本发明还涉及该应变绝缘体上半导体层的制造方法。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/01 授权公告日:20090812 终止日期:20160803 申请日:20050803

    专利权的终止

  • 2009-08-12

    授权

    授权

  • 2009-08-12

    授权

    授权

  • 2007-11-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-11-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-09-26

    公开

    公开

  • 2007-09-26

    公开

    公开

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