机译:自热对纳米级绝缘体上应变硅和在绝缘体上Sige上生长的应变硅中的金属迁移率N-金属氧化物半导体场效应晶体管的电子迁移率的比较研究
机译:温度和自热对绝缘体上超薄n型金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率的依赖性
机译:电学特性对在绝缘体上的SiGe / n-金属-氧化物-半导体场效应晶体管上生长的无应变Si的Si厚度和Ge浓度的影响
机译:短沟道晶体管的磁阻迁移率的综合研究:应变和非应变的绝缘体上硅场效应晶体管的应用
机译:在绝缘体上的SiGe上生长的纳米级应变Si对电子迁移率的影响
机译:单电子量子点应用中的应变硅/松弛硅锗异质结构的电气和材料性能。
机译:具有应变硅纳米膜的快速柔性电子产品
机译:完全拉伸的应变部分硅绝缘体n型 采用局域化的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 接触蚀刻停止层