用于提高耦合比的非易失性半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性半导体存储器件，其包括：栅极叠层，其具有依次形成在半导体衬底上的隧道氧化膜、浮置栅极、层间绝缘膜和控制栅极；第一扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的一个侧表面上；第二扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的另一个侧表面上；以及沟道区域，其形成在半导体衬底中、第一和第二扩散区之间，其中所述浮置栅极的两个侧表面在沟道长度方向上都是波浪形状的。