机译:用于恶劣环境应用的6H-SiC非易失性半导体存储器件
Sch. of Electr. & Comput. Eng., Cornell Univ., Ithaca, NY, USA;
silicon compounds; wide band gap semiconductors; EPROM; MOS memory circuits; integrated circuit reliability; high-temperature electronics; nonvolatile semiconductor memory device; 6H-SiC; harsh environment applications; electrically erasable programm;
机译:宽带隙半导体器件和严酷环境应用中的压铸材料的热机械评估
机译:等离子体增强化学气相沉积氮氧化硅层在非易失性半导体存储器件中的应用
机译:基于并五苯半导体和有机隧穿绝缘层的非易失性纳米浮栅存储器件
机译:6H-SiC电子与6H-SiC MEMS进行苛刻环境应用的单片集成
机译:用于太空和军事应用的SONOS非易失性半导体存储器(NVSM)器件的特性。
机译:聚酰亚胺/氧化石墨烯纳米复合材料的制备及其在非易失性电阻存储器件中的应用
机译:通过粘合光刻技术在柔性基板上制造的基于金属纳米间隙的无半导体非易失性电阻式开关存储器件
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。